半導(dǎo)體材料：

  可控硅模塊的核心芯片通常采用硅（Si）這種半導(dǎo)體材料。硅具備優(yōu)異的電學(xué)性能以及良好的熱穩(wěn)定性，能夠承受較高的電壓和電流，從而滿足可控硅在各種不同工作條件下的實(shí)際需求。在芯片內(nèi)部，通過特定的摻雜工藝，形成了由 P 型半導(dǎo)體和 N 型半導(dǎo)體交替排列組成的四層結(jié)構(gòu)，也就是 P1 - N1 - P2 - N2，這一結(jié)構(gòu)是可控硅得以實(shí)現(xiàn)其獨(dú)特功能的基礎(chǔ)所在。

PN 結(jié)：

  上述的四層結(jié)構(gòu)形成了三個(gè) PN 結(jié)，分別是 J1（P1 - N1）、J2（N1 - P2）和 J3（P2 - N2）。這些 PN 結(jié)在不同的電壓條件下會(huì)展現(xiàn)出各異的導(dǎo)電特性，它們是可控硅實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通和截止控制的關(guān)鍵要素。當(dāng)在可控硅的陽極（A）和陰極（K）之間施加正向電壓，并且在控制極（G）上施加合適的觸發(fā)信號(hào)時(shí)，J2 結(jié)就會(huì)被擊穿，此時(shí)可控硅便進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)；而當(dāng)陽極電壓降低或者變?yōu)榉聪螂妷海⑶译娏餍∮诰S持電流時(shí)，可控硅就會(huì)恢復(fù)到截止?fàn)顟B(tài)。

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