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昆二晶

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解析可控硅模塊 datasheet 核心邏輯:抓住黃金指標輕松選型

來源:昆二晶發(fā)布日期:2025-04-23關(guān)注:-

解析關(guān)鍵參數(shù):看懂 datasheet 的核心邏輯

可控硅模塊的 datasheet 往往包含數(shù)十項參數(shù),以下為必須重點關(guān)注的 “黃金指標”:

(一)核心電氣參數(shù)

參數(shù)名稱

符號

含義與選型要點

斷態(tài)重復(fù)峰值電壓

VDRM

模塊能承受的正向最大電壓,需≥電路峰值電壓的 1.5 倍(如電網(wǎng)應(yīng)用選 1600V 模塊)

反向重復(fù)峰值電壓

VRRM

模塊能承受的反向最大電壓,需≥電路反向電壓峰值,避免反向擊穿

通態(tài)平均電流

IT(AV)

模塊可持續(xù)通過的平均電流,需根據(jù)負載有效值計算(如阻性負載 IT (AV)=I 有效值 ×0.637)

通態(tài)峰值電壓

VT

導(dǎo)通時的電壓降,越低則損耗越?。▋?yōu)質(zhì)模塊 VT≤1.5V,節(jié)能效果顯著)

門極觸發(fā)電流 / 電壓

IGT/VGT

觸發(fā)模塊導(dǎo)通所需的最小電流 / 電壓,需與驅(qū)動電路匹配(觸發(fā)信號需≥1.2 倍 IGT/VGT)


(二)動態(tài)特性參數(shù)

開通時間(Ton)與關(guān)斷時間(Toff):高頻場景(如逆變器>1kHz)需選擇快速晶閘管模塊(Ton<10μs,Toff<50μs),低頻場景(如電機調(diào)速<100Hz)可選用普通模塊降低成本。

電流上升率(di/dt)與電壓上升率(dv/dt):感性負載(如電機、變壓器)需關(guān)注 di/dt(需≥負載啟動時的電流突變率),容性負載需關(guān)注 dv/dt(避免誤觸發(fā)),通常模塊參數(shù)需≥實際工況的 2 倍。

(三)熱特性參數(shù)

結(jié)溫(Tj)與熱阻(Rth (j-c)):結(jié)溫決定模塊的工作溫度上限(通常為 - 40℃~125℃),熱阻反映散熱效率(Rth (j-c)≤0.5K/W 為優(yōu))??赏ㄟ^公式

P

loss

 =VT×IT(AV)

 計算損耗功率,再結(jié)合散熱器熱阻

Rth(c−a)

 確保結(jié)溫安全。

 

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