一、定義與核心優(yōu)勢：為大功率場景而生

平板式晶閘管屬于普通晶閘管（KP 型）的典型封裝形式，采用 PNPN 四層半導體結(jié)構(gòu)，具備陽極（A）、陰極（K）、門極（G）三電極。其核心設計在于雙面冷卻平板封裝，通過全擴散工藝與中心放大門極結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)對高壓大電流的精準控制。區(qū)別于螺旋式晶閘管的單端散熱，平板式器件可通過兩個獨立散熱器（風冷或水冷）夾緊，散熱效率提升 50% 以上，適用于額定電流≥200A 的嚴苛場景，如中頻爐、高壓變頻器等。

二、技術(shù)特性：結(jié)構(gòu)創(chuàng)新驅(qū)動性能突破
封裝與散熱設計
  平板陶瓷封裝：全封閉陶瓷 - 金屬結(jié)構(gòu)，兼具絕緣性與機械強度，適應高濕度、多粉塵工業(yè)環(huán)境。
  雙面冷卻技術(shù)：芯片兩側(cè)直接接觸散熱器，形成高效熱傳導路徑，相比單端散熱器件，結(jié)溫均勻性提升 30%，最高工作溫度可達 150℃。
  中心放大門極：優(yōu)化觸發(fā)靈敏度，降低門極觸發(fā)電流閾值，確保在強電磁干擾下可靠導通，觸發(fā)電流典型值≤50mA。

電氣性能
  電壓與電流等級：涵蓋 600V 至 8000V 耐壓，單器件最大電流可達 5000A，滿足從工業(yè)整流到高壓直流輸電的多元需求。
  半控型特性：僅通過門極正向脈沖觸發(fā)導通，導通后需依賴外部條件（如電流過零或反向電壓）關(guān)斷，結(jié)構(gòu)簡單且成本優(yōu)勢顯著。
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